+375 17 366-76-16,366-78-15

220012, Минск, ул. Сурганова 5А

Поиск по складу


Поиск по сайту







 08.09.2010


Компания NXP Semiconductors анонсировала линейку MOSFET транзисторов в новом компактном корпусе для SMD монтажа  QFN3333, размером всего 3,3х3,3х1 мм.

Линейка транзисторов, включающая в себя 12 элементов, выполнена по технологии шестого поколения Trench 6 и обладают малым сопротивлением канала RDSon 3,6+ мОм и малым зарядом затвора QGD. Транзисторы рассчитаны на рабочие напряжения (VDS) 30-220 В, ток (ID) до 40 А и рабочий диапазон температур -50…150 °C. Комбинация технологии Trench 6 с компактным корпусом  QFN3333 обеспечивают большую надежность транзисторов, позволяет уменьшить площадь печатной платы и расширить разработчикам границы применения.

Основные преимущества  QFN3333:

- высокая эффективность при применении в силовых схемах переключения благодаря низкому сопротивлению RDSon открытого канала, низкого заряда затвора QGD, и использованию новых технологий 6 поколения Trech 6
- высокая скорость переключения до 500 кГц
- маленький размер корпуса оптимален для применений в компактных устройствах
- высокие тепловые характеристики Rth(j-mb)
- уменьшенные пиковые значения при переключении
- нормированные лавинные параметры, протестированные на заводе-изготовителе, дающие гарантию высокой надежности


В таблице приведен краткий перечень и характеристики MOSFET транзисторов в корпусе  QFN3333:

Тип Корпус Тип канала VDS [max] V RDson [max] @ VGS = 10 V mOhm RDson [max] @ VGS = 4,5 V mOhm ID [max] (A) QGD [typ] (nC) QG(tot) [typ] (nC) Ptot [max] (W) Qr [typ] (nC) VGS(th) [typ] (V)
PML260SN QFN3333 N 200 294 - 8.8 4.2 13.3 50 267 3
PML340SN QFN3333 N 220 386 - 7.3 4.25 13.2 50 340 3
PSMN013-30LL QFN3333 N 30 13 19 21 1.7 11.4 41 10.6 1.7
PSMN014-60LS QFN3333 N 60 14 - 40 4.5 16.8 65 36 3
PSMN017-30LL QFN3333 N 30 17 25 15 1.5 9 37 17 1.7
PSMN023-80LS QFN3333 N 80 23 - 34 4.8 21 65 53 3
PSMN035-100LS QFN3333 N 100 32 - 27 7 19 65 102 3
PSMN3R5-30LL QFN3333 N 30 3.6 5.6 40 5 33 71 34 1.7
PSMN3R8-30LL QFN3333 N 30 3.7 5.8 40 5.3 35 69 30 1.7
PSMN5R8-30LL QFN3333 N 30 5.8 8 40 3.4 21.8 55 28 1.7
PSMN7R0-40LS QFN3333 N 40 7 - 40 4.6 21.4 65 18.8 3
PSMN9R0-30LL QFN3333 N 30 9 13 21 2.9 18.6 50 22 1.7


Области применения MOSFET транзисторов:

  • промышленная автоматика – DC/DC преобразователи, понижающие/повышающие конверторы, блоки управления электродвигателями, блоки управления подачей топлива для автозаправочных станций, системы безопасности железнодорожного транспорта, электронные балласты для люминесцентных и компактных люминесцентных ламп, зарядные устройства;
  • бытовая электроника – мобильные и бытовые телефоны, ноутбуки и блоки питания к ним, MP3-плееры и мобильные плееры, цифровые видеокамеры, схемы защиты Li-ion батарей, set-top-box, схемы управления вращением кулеров, кондиционеры, модули управления лазерными приводами, блоки управления холодильниками, стиральными машинами, пылесосами;
  • автомобильная электроника – генераторы и стартеры переменного тока, электронные модули рулевого управления, электронасосы топлива и воды, турбокомпрессоры, модули управления стеклоподъемниками, стеклоочистителями, зеркалами, системы ABS, ESP, EBD, автоматизированные коробки передач, модули DC/DC преобразователей, регуляторы положения сидений, системы отопления, вентиляции, кондиционирования, система активной подвески;

Образцы транзисторов в корпусе QFN3333 доступны для заказа.


 Светодиодное освещение

Батареи EEMB

Светодиодные дисплеи

ЖК-индикаторы, TFT панели SUNLIKE

Светодиодные лампы, полосы, ленты Rayconn

Поиск электронных компонентов Rating All.BY Каталог TUT.BY Rambler's Top100
Поиск электронных компонентов