Транзисторы многоканальные INFINEON (IRF) IRF7103TRPBF
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 50В; 3А; 2Вт; SO8
| Название | Описание | Производитель | Количество | Срок поставки | Кратность заказа | Цена (бел.руб.) | Заказать |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRF7103TRPBF | Транзисторы и сборки MOSFET | TECH PUB | 39 шт. | 7 дней | 1 |
0.9579 от 1 шт. 0.9075 от 64 шт. 0.8642 от 201 шт. 0.8354 от 381 шт. |
|
| IRF7103TRPBF | IRF7103TRPBF, транзистор 2N канал 50В 3А 130мОм 8-SO | Infineon | 150 шт | 14 дней | 1 |
4.5757 от 1 шт. 4.0038 от 4 шт. 3.5748 от 76 шт. |
| Производитель | Infineon (IRF) |
| Тип транзистора | N-MOSFET x2 |
| Технология | HEXFET® |
| Полярность | полевой |
| Напряжение сток-исток | 50В |
| Ток стока | 3А |
| Мощность | 2Вт |
| Корпус | SO8 |
| Монтаж | SMD |
| Вид упаковки | бобина |
Описание
- Масса брутто: 0.43 g
Изделия, требующие защиты от влаги, упаковываются в герметично запаянные мешки из пленки MBB (Moisture Barrier Bag) вместе с влагопоглотителем и датчиком влажности. На мешок наклеивается этикетка с обозначенным уровнем MSL (Moisture Sensitivity Level) и инструкция по обращению с элементами, чувствительными к влаге. Светодиоды мощности в корпусах COB упаковываются на лотки или блистеры, которые предотвращают соприкосновение чувствительного слоя поверхности диода с упаковкой.
