IR25602STRPBF

Информация о продукте
Обозначение производителя:
IR25602STRPBF
Производитель:
Infineon Technologies
Документ
Название Описание Производитель Количество Срок поставки Кратность заказа Цена (бел.руб.) Заказать
IR25602STRPBF IR25602STRPBF, полумост 600В 130мА/270мА SOIC8N = IR25602SPBF Infineon 160 шт 14 дней 1

7.1366 от 1 шт.

6.2446 от 3 шт.

5.5755 от 49 шт.

Current - peak output (source, sink) 210mA, 360mA
Driven configuration Half-Bridge
Gate type IGBT, N-Channel MOSFET
High side voltage - max (bootstrap) 600V
Input type Non-Inverting
Logic voltage - vil, vih 0.8V, 3V
Mounting type Surface Mount
Number of drivers 2
Operating temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging Tape & Reel (TR)
Part status Active
Rise / fall time (typ) 100ns, 50ns
Supplier device package 8-SOIC
Voltage - supply 10 V ~ 20 V
Производитель Infineon Technologies

Описание

IC HALF BRIDGE DRIVER 8SOIC