Модули IGBT MICROSEMI APT45GP120JDQ2
Urmax:1,2кВ; Ic:34А; P:329Вт; Ifsm:170А; SOT227B; винтами; винтами
Товар отсутствует на складе.
Товар можно оформить под заказ.
Информация о продукте
Обозначение производителя:
MICROSEMI APT45GP120JDQ2
Производитель:
MICROSEMI
Документация язык en
| Производитель | MICROSEMI |
| Тип модуля | IGBT |
| Конструкция диода | одиночный транзистор |
| Обратное напряжение макс. | 1.2кВ |
| Ток коллектора | 34 |
| Мощность | 329Вт |
| Импульсный ток | 170А |
| Корпус | SOT227B |
| Электрический монтаж | винтами |
| Монтаж | винтами |
| Рабочая температура | -55...150°C |
| Напряжение затвор - эмиттер | ±30В |
Описание
- Масса брутто: 0.03 kg
