Производитель	SEMIKRON
Тип модуля	IGBT
Конструкция диода	одиночный транзистор
Обратное напряжение макс.	200В
Ток коллектора	135
Импульсный ток	540А
Корпус	SEMITRANSM1
Электрический монтаж	винтами
Монтаж	винтами
Рабочая температура	-40...125°C
Напряжение затвор - эмиттер	±20В
Версия	D15

Описание

Масса брутто: 0.18 kg

Элементы, чувствительные к воздействию электростатических зарядов, упаковываются с соблюдением мер безопасности в специальной зоне ESD. Для упаковки элементов используются антистатические планки либо блистерные упаковки с губкой, рассеивающей электрические заряды. Все изделия из зоны ESD также упаковываются в мешки типа shielding bags.